Редактирование Микроэлектроника России (секция)
Материал из Documentation.
Перейти к:
навигация
,
поиск
== Производственные площадки == Российские предприятия производят чипы с топологией до 90 нм и осваивают серийный выпуск по топологии 60 нм (по состоянию на октябрь 2021 года).<ref>[https://www.kommersant.ru/doc/5009185]</ref> === Ситроникс === До 2010 года завод «Микрон» (принадлежит компании «[[Ситроникс]]») работал по около-микронным нормам, на оборудовании большей частью оставшегося с советских времен.<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref> В 2006 году была куплена технология и оборудование для производства с нормами 180нм (CMOS+EEPROM) с алюминиевой металлизацией на пластинах диаметром 200 мм у компании [[STMicroelectronics]]. Затем, на базе этого оборудования были разработаны технологии SiGe (нужно для радиочастотных применений — ГЛОНАСС, радары и проч.) и КНИ (для радиационно-стойких микросхем). Объём производства — 1500 пластин в месяц. Первые тестовые пластины были произведены в 2010 году.<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref> Затем у той же STMicroelectronics была приобретена технология 90 нм с медной металлизацией, требующая дополнительного оборудования (в основном сканеры) с ростом мощности производства до 3000 пластин в месяц:<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref> * ASML PAS 5500/750F 248nm/0.7 120 пластин в час; * ASML PAS/1150C 193nm/0.75 135 пластин в час (первый в России сканер на длине волны 193 нм). Финансированием занималось «Роснано». В сентябре 2012 года сообщили о начале продаж 90 нм продукции. Таким образом, в настоящий момент Ситроникс-Микрон обладает наиболее современным и универсальным полупроводниковым производством в России, потратив на него очень скромные по мировым меркам деньги.<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref> У «Микрона» есть младший брат — «[[ВЗПП-Микрон]]», в [[Воронеж]]е — там делают дискретные элементы и микросхемы на микронных нормах.<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref> === НИИСИ === Фабрика [[НИИСИ РАН]] находится на территории [[Курчатовский институт|Курчатовского института]] в Москве и обладает технологиями с проектными нормами 500, 350 и 250 нанометров на пластинах объёмного кремния и КНИ. Изначально не предназначена для крупносерийного производства и позиционируется как «исследовательская фабрика Академии наук». Большинство производимых здесь микросхем разработаны самим НИИСИ, однако фабрика работает и с внешними заказчиками, например, с воронежским [[НИИЭТ]], который производит здесь свои радиационностойкие микроконтроллеры.<ref>[http://habrahabr.ru/post/217427/ Российская микроэлектроника для космоса: кто и что производит. 28 марта 2014]</ref> === Ангстрем === На «старом» «[[Ангстрем]]е» — производство с нормами 600 нм на пластинах диаметром 150 мм (8 тыс. пластин в месяц) и 100 мм, 1200 нм кремний-на-сапфире/карбид кремния (4 тыс. пластин в месяц). Степперы — Cannon FPA-2000 i1 (длина волны 365nm, NA=0.52, разрешение ~0.5um). Как и у других российских заводов — гражданская продукция идёт на экспорт (LED-драйверы, микросхемы управления питанием для сотовых телефонов и прочее).<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref> Помимо «старого» Ангстрема существует новый проект «[[Ангстрем-Т]]», находящийся в настоящее время на стадии реализации. Проект основывается на корпусе недостроенного завода, оставшегося ещё с советских времен. Корпус был построен добротно, и удовлетворял современным требованиям технологии 130 нм. Оборудование покупали снятое с Дрезденского завода [[AMD]] (130 нм, медная металлизация в 9 слоёв, 14 тыс. пластин в месяц), а финансировался проект практически полностью за счёт кредитной линии ВЭБа с лимитом 815 млн евро. В 2008 году заплатили AMD за оборудование ~182.5 млн евро, ~120 млн евро — лицензия на технологию, ~10 млн евро — компании Meissner & Wurst за этап А проектирования завода. Однако собственником оборудования стал не Ангстрем-Т, а кипрская офшорная компания [[Runica]]. Оборудование в Россию также не повезли, а оставили на складах в Нидерландах и Дрездене. Затем финансирование остановилось, оборудование так и осталось за границей. В 2012 году финансирование было возобновлено, а в конце октября 2012 года Ангстрем-Т был куплен [[Леонид Рейман|Леонидом Рейманом]]. Одновременно, лицензирована технология 90 нм у [[IBM]], которая потребует приобретения дополнительного оборудования. Строительство возобновлено.<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref> === Прочее === Существуют предприятия с производством толще микрона: [[Экситон]], [[НПО ИТ]] (для космоса), [[Восход-КРЛЗ]], изготовление фотошаблонов — [[ЦКП ПКИФ]] и другие.<ref>[http://habrahabr.ru/post/156843/ Микроэлектронная индустрия в России (2012)][http://www.peeep.us/987992d9]</ref>
Описание изменений:
Отменить
|
Справка по редактированию
(в новом окне)
Просмотры
Статья
Обсуждение
Править
История
Личные инструменты
Представиться системе
Навигация
Заглавная страница
Случайная статья
Инструменты
Ссылки сюда
Связанные правки
Загрузить файл
Спецстраницы