Редактирование Интегральные схемы в России (секция)

Материал из Documentation.

== Технологии == === 28 нм === Структуры [[АФК «Система»]] в июне 2015 года предложили создать в России производство чипов 28 нм.<ref>[https://www.kommersant.ru/doc/3289550]</ref> === 65 нм === В декабре 2013 года ОАО «[[НИИМЭ и Микрон]]» завершил разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65 нм.<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref> В 2015 году «Микрон» завершил разработку 65-нм процесса.<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref> === 90 нм === В 2009 году ГК «[[Роснано]]» и [[АФК «Система»]] подписали договор о создании на базе производственной площадки и инфраструктуры ОАО «НИИМЭ и Микрон» производства интегральных схем с проектными нормами 90 нм по технологии компании [[STMicroelectronics]] на пластинах 200 мм.<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref> В 2010 году было подписано соглашение о передаче на «Микрон» технологии производства микросхем с нормами 90 нм от компании [[STMicroelectronics]].<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref> В 2012 году была запущена линия по производству микрочипов с топологическим уровнем 90 нм.<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref> === 180 нм === В 2006 году было подписано соглашение с компанией [[STMicroelectronics]] о передаче ОАО «[[НИИМЭ и Микрон]]» технологии производства интегральных схем с топологическим уровнем 0,18 мкм по технологии [[EEPROM]].<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref> В ноябре 2006 года ОАО «НИИМЭ и Микрон» приступило к работе с правилами проектирования микросхем по технологии EEPROM 0,18 мкм для российских дизайн-центров.<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref> В 2007 году ОАО «[[НИИМЭ и Микрон]]» открыло производство интегральных схем с топологическим уровнем 0,18 мкм [[EEPROM]].<ref>[http://www.mikron.ru/company/history/ История]</ref>

---

Описание изменений:

Отменить | Справка по редактированию (в новом окне)