Редактирование Микроэлектроника России (секция)

Материал из Documentation.

== История == {{main|История микроэлектроники России}} Советская микро­электроника отставала от американской по разным направлениям от нескольких месяцев до нескольких лет. После разрушительных [[Экономика России в 1990-х годах|1990-х годов]] отставание увеличилось до семи технологических поколений, которые даже трудно оценить в годах.<ref>http://expert.ru/expert/2011/18/prislushatsya-k-den-syaopinu/</ref> [[26 февраля]] 2010 года заместитель министра промышленности и торговли России [[Юрий Борисов]] заявил, что реализация стратегии [[правительство России|правительства России]] в области микроэлектроники сократила к настоящему времени технологическое отставание отечественных производителей от западных до 5 лет. Это соответствует одному-двум технологическим поколениям микроэлектронных устройств. До 2007 года технологическое отставание в области микроэлектроники от ведущих стран оценивалось в 20-25 лет и составляло несколько технологических поколений.<ref>[http://armstass.su/?page=article&aid=81498&cid=%0A25 Реализация стратегии правительства РФ в области микроэлектроники к 2010 году сократила до 5 лет отставание отечественных производителей от западных]</ref> В феврале 2012 года компания «Ситроникс» совместно с «Роснано» открыли производство микросхем на основе технологии 90 нм. Общий бюджет проекта составил 16,5 млрд рублей, включая софинансирование «Роснано» в размере 6,5 млрд рублей. ''«Успешный запуск проекта позволяет создать платформу для дальнейшего развития отечественной микроэлектронной отрасли и своевременно выйти на глобальный растущий рынок. Сейчас в мире доля продукции на чипах с топологией 90 нм и выше составляет около 75 %. Этот проект — яркий пример совместных государственных и частных инвестиций в высокотехнологичное производство»'', — заявил заместитель председателя правления «Роснано» Андрей Малышев.<ref>[http://www.rusnano.com/Post.aspx/Show/33837 ОАО «РОСНАНО» и ОАО «СИТРОНИКС» запускают самое современное в России и СНГ микроэлектронное производство][http://www.peeep.us/7db48885]</ref><ref>[http://mikron.sitronics.ru/press/news/5808/ СИТРОНИКС Микроэлектроника начинает продажи продукции с топологическим уровнем 90н]</ref> В декабре 2013 года компания «НИИМЭ и Микрон» завершила разработку собственной технологии создания интегральных схем по топологии 65 нм.<ref>[http://www.advis.ru/php/view_news.php?id=FE4D9406-F749-634B-843F-1E0F9073BD36 «Микрон» в 2014 году начнет серийное производство микросхем по топологии 65 нанометров]</ref> В июле 2016 года микроэлектронная фабрика «[[Ангстрем-Т]]» получила разрешение на ввод в эксплуатацию. «Ангстрем-Т» — это производство полупроводниковых изделий по технологии 90 и 130 нанометров.<ref>[http://www.angstrem-t.com/press-center/detail.php?ELEMENT_ID=1004 Фабрика Ангстрем-Т введена в коммерческую эксплуатацию. 5 августа 2016]</ref>

---

Описание изменений:

Отменить | Справка по редактированию (в новом окне)